Transistor de canal N FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 965pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1255pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 105pF. Diodo Trr (Mín.): 365ns. Disipación máxima Ptot [W]: 48W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 7.6A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 28 nC, Crss bajo 12 pF. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 30A. Marcado del fabricante: FQPF8N60C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 48W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 170 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 81 ns. Td(encendido): 16.5 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 45 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41