Transistor de canal N, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V - FQU20N06L

Transistor de canal N, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V - FQU20N06L. Transistor de canal N, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. DI (T=100°C): 10.9A. DI (T=25°C): 17.2A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.046 Ohms. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 480pF. Costo): 175pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 54 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 68.8A. IDss (mín.): 1uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: Carga de puerta baja (tipo 9,5 nC). Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.