Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V - FS10KM-12

Transistor de canal N, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V - FS10KM-12
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1 - 4 2.23€ 2.70€
5 - 9 2.12€ 2.57€
10 - 24 2.01€ 2.43€
25 - 49 1.90€ 2.30€
50 - 71 1.71€ 2.07€
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Transistor de canal N, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V - FS10KM-12. Transistor de canal N, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.72 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1500pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 30A. IDss (mín.): na. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 01:25.

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Transistor de canal N, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. DI (T=25°C): 10A...
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Transistor de canal N, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F ( 2-10R1B ). Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 2040pF. Costo): 230pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): na. Marcado en la caja: K2843. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 190 ns. Td(encendido): 58 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Tecnología: Transistor de efecto de campo, tipo MOS (TT.MOSV). Protección G-S: sí
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Transistor de canal N, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F ( 2-10R1B ). Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 2040pF. Costo): 230pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Identificación (diablillo): 40A. IDss (mín.): na. Marcado en la caja: K2843. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 45W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 190 ns. Td(encendido): 58 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Tecnología: Transistor de efecto de campo, tipo MOS (TT.MOSV). Protección G-S: sí
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