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Transistor de canal N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V - HUF75307D3S

Transistor de canal N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V - HUF75307D3S
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 0.97€ 1.17€
5 - 9 0.93€ 1.13€
10 - 24 0.88€ 1.06€
25 - 49 0.83€ 1.00€
50 - 99 0.81€ 0.98€
100 - 108 0.79€ 0.96€
Cantidad U.P
1 - 4 0.97€ 1.17€
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10 - 24 0.88€ 1.06€
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Transistor de canal N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V - HUF75307D3S. Transistor de canal N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.09 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-252AA ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 250pF. Costo): 100pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 75307D. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: UltraFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 06:25.

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