Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

Transistor de canal N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - HUF75645P3

Transistor de canal N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - HUF75645P3
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 3.41€ 4.13€
5 - 9 3.24€ 3.92€
10 - 24 3.07€ 3.71€
25 - 48 2.90€ 3.51€
Cantidad U.P
1 - 4 3.41€ 4.13€
5 - 9 3.24€ 3.92€
10 - 24 3.07€ 3.71€
25 - 48 2.90€ 3.51€
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Cantidad en inventario : 48
Conjunto de 1

Transistor de canal N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - HUF75645P3. Transistor de canal N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0115 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3790pF. Costo): 810pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 145 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: UltraFET Power MOSFET. Identificación (diablillo): 430A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: 75645 P. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 41 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: UltraFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 06:25.

Información y ayuda técnica.

Por telefono :

Pago y entrega

¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!

Suscríbete al boletín

Acepto recibir correos electrónicos y entiendo que puedo cancelar mi suscripción en cualquier momento después de suscribirme..

Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.