Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 6.23€ | 7.54€ |
2 - 2 | 5.92€ | 7.16€ |
3 - 4 | 5.61€ | 6.79€ |
5 - 9 | 5.30€ | 6.41€ |
10 - 10 | 5.17€ | 6.26€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 6.23€ | 7.54€ |
2 - 2 | 5.92€ | 7.16€ |
3 - 4 | 5.61€ | 6.79€ |
5 - 9 | 5.30€ | 6.41€ |
10 - 10 | 5.17€ | 6.26€ |
Transistor de canal N, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW15N120R3. Transistor de canal N, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1165pF. Costo): 40pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Corriente del colector: 30A. Ic (pulso): 45A. Marcado en la caja: H15R1203. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 254W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 300 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.48V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.75V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 06:25.
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