Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 8.37€ | 10.13€ |
2 - 2 | 7.95€ | 9.62€ |
3 - 4 | 7.53€ | 9.11€ |
5 - 9 | 7.12€ | 8.62€ |
10 - 18 | 6.95€ | 8.41€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.37€ | 10.13€ |
2 - 2 | 7.95€ | 9.62€ |
3 - 4 | 7.53€ | 9.11€ |
5 - 9 | 7.12€ | 8.62€ |
10 - 18 | 6.95€ | 8.41€ |
Transistor de canal N, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW30N60H3. Transistor de canal N, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 1630pF. Costo): 107pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 117 ns. Función: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Corriente del colector: 60A. Ic (pulso): 60.4k Ohms. Marcado en la caja: K30H603. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 187W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 207 ns. Td(encendido): 21 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.95V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop . Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 06:25.
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