Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 9.11€ | 11.02€ |
2 - 2 | 8.66€ | 10.48€ |
3 - 4 | 8.47€ | 10.25€ |
5 - 9 | 8.20€ | 9.92€ |
10 - 19 | 8.02€ | 9.70€ |
20 - 29 | 7.75€ | 9.38€ |
30 - 54 | 7.11€ | 8.60€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 9.11€ | 11.02€ |
2 - 2 | 8.66€ | 10.48€ |
3 - 4 | 8.47€ | 10.25€ |
5 - 9 | 8.20€ | 9.92€ |
10 - 19 | 8.02€ | 9.70€ |
20 - 29 | 7.75€ | 9.38€ |
30 - 54 | 7.11€ | 8.60€ |
Transistor de canal N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW50N60T. Transistor de canal N, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 3140pF. Costo): 200pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 143 ns. Función: VCEsat muy bajo. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 80A. Ic (pulso): 150A. Marcado en la caja: K50T60. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 333W. RoHS: sí. Spec info: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop . Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 299 ns. Td(encendido): 26 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Producto original del fabricante Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/05/2025, 16:25.
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