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Transistor de canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW75N60T

Transistor de canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW75N60T
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 1 12.17€ 14.73€
2 - 2 11.56€ 13.99€
3 - 4 11.32€ 13.70€
5 - 9 10.95€ 13.25€
10 - 14 10.71€ 12.96€
15 - 19 10.34€ 12.51€
20 - 59 9.98€ 12.08€
Cantidad U.P
1 - 1 12.17€ 14.73€
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3 - 4 11.32€ 13.70€
5 - 9 10.95€ 13.25€
10 - 14 10.71€ 12.96€
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Cantidad en inventario : 59
Conjunto de 1

Transistor de canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW75N60T. Transistor de canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 4620pF. Costo): 288pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 182 ns. Función: VCEsat muy bajo. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 80A. Ic (pulso): 225A. Marcado en la caja: K75T60. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 428W. RoHS: sí. Spec info: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop . Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 330 ns. Td(encendido): 33 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Producto original del fabricante Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 06/07/2025, 00:25.

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