Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 12.17€ | 14.73€ |
2 - 2 | 11.56€ | 13.99€ |
3 - 4 | 11.32€ | 13.70€ |
5 - 9 | 10.95€ | 13.25€ |
10 - 14 | 10.71€ | 12.96€ |
15 - 19 | 10.34€ | 12.51€ |
20 - 59 | 9.98€ | 12.08€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 12.17€ | 14.73€ |
2 - 2 | 11.56€ | 13.99€ |
3 - 4 | 11.32€ | 13.70€ |
5 - 9 | 10.95€ | 13.25€ |
10 - 14 | 10.71€ | 12.96€ |
15 - 19 | 10.34€ | 12.51€ |
20 - 59 | 9.98€ | 12.08€ |
Transistor de canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW75N60T. Transistor de canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 4620pF. Costo): 288pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 182 ns. Función: VCEsat muy bajo. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 80A. Ic (pulso): 225A. Marcado en la caja: K75T60. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 428W. RoHS: sí. Spec info: Transistor IGBT con tecnología Trench and Fieldstop . Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 330 ns. Td(encendido): 33 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.7V. Producto original del fabricante Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 06/07/2025, 00:25.
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