Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 4.90€ | 5.93€ |
5 - 9 | 4.66€ | 5.64€ |
10 - 24 | 4.41€ | 5.34€ |
25 - 44 | 4.17€ | 5.05€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.90€ | 5.93€ |
5 - 9 | 4.66€ | 5.64€ |
10 - 24 | 4.41€ | 5.34€ |
25 - 44 | 4.17€ | 5.05€ |
Transistor de canal N, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7 - IPB014N06NATMA1. Transistor de canal N, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Resistencia en encendido Rds activado: 2.1M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO263-7. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 214W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: OptiMOS Power. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 06:25.
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