Transistor de canal N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IPB80N06S2-08

Transistor de canal N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IPB80N06S2-08. Transistor de canal N, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 6.5m Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 2860pF. Costo): 740pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Automoción con certificación AEC Q101. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: 2N0608. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 215W. RoHS: sí. Spec info: Resistencia ultrabaja. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 32 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: transistor MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Producto original del fabricante Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 06/07/2025, 00:25.