Transistor de canal N, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V - IPD034N06N3GATMA1

Transistor de canal N, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V - IPD034N06N3GATMA1. Transistor de canal N, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.8m Ohms. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): PG-TO252-3 ( DPAK ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 8000pF. Costo): 1700pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 48 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Identificación (diablillo): 400A. IDss (mín.): 0.01uA. Marcado en la caja: 034N06N. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 63 ns. Td(encendido): 38 ns. Tecnología: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 06:25.