Transistor de canal N, 6m Ohms, PG-SOT223 - IPN70R600P7SATMA1

Transistor de canal N, 6m Ohms, PG-SOT223 - IPN70R600P7SATMA1. Transistor de canal N, 6m Ohms, PG-SOT223. Resistencia en encendido Rds activado: 6m Ohms. Vivienda (según ficha técnica): PG-SOT223. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (disipación de potencia, máx.): 6.9W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Producto original del fabricante Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 06/07/2025, 03:25.