Transistor de canal N IRF1010E, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 83A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.12 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 2800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 880pF. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Función: Conmutación rápida, resistencia de encendido ultrabaja. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 330A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 41 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00