Transistor de canal N IRF1010N, TO-220, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220AB, 55V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.11 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 3210pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 80nC. Corriente de drenaje: 72A. Costo): 690pF. Diodo Trr (Mín.): 69 ns. Función: transistor MOSFET. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 290A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 180W. Polaridad: unipolares. Potencia: 130W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia térmica de alojamiento: 1.2K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Utilizado para: -55...+175°C. Vgs(th) máx.: 4 v. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00