Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF1310N

Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF1310N. Transistor de canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.036 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1900pF. Costo): 450pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 180 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: relación dinámica dv/dt, conmutación rápida. Identificación (diablillo): 140A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.