Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.28€ | 2.76€ |
5 - 9 | 2.17€ | 2.63€ |
10 - 24 | 2.05€ | 2.48€ |
25 - 49 | 1.94€ | 2.35€ |
50 - 85 | 1.56€ | 1.89€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.28€ | 2.76€ |
5 - 9 | 2.17€ | 2.63€ |
10 - 24 | 2.05€ | 2.48€ |
25 - 49 | 1.94€ | 2.35€ |
50 - 85 | 1.56€ | 1.89€ |
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 42A - IRF1310NSPBF. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 42A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F1310NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 45 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1900pF. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.
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