Transistor de canal N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V - IRF1324

Transistor de canal N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V - IRF1324. Transistor de canal N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V. DI (T=100°C): 249A. DI (T=25°C): 353A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 24V. C(pulg): 5790pF. Costo): 3440pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 46 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Identificación (diablillo): 1412A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 83 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.