Transistor de canal N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - IRF1404S

Transistor de canal N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - IRF1404S. Transistor de canal N, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. DI (T=100°C): 130A. DI (T=25°C): 190A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.7M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 4340pF. Costo): 1030pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Identificación (diablillo): 750A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 220W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 36ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.