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Transistor de canal N, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1405ZPBF

Transistor de canal N, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1405ZPBF
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 2.52€ 3.05€
5 - 9 2.39€ 2.89€
10 - 24 2.27€ 2.75€
25 - 49 2.14€ 2.59€
50 - 66 2.09€ 2.53€
Cantidad U.P
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Transistor de canal N, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1405ZPBF. Transistor de canal N, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0037 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 4780pF. Costo): 770pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 600A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.

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