Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.87€ | 3.47€ |
5 - 9 | 2.73€ | 3.30€ |
10 - 24 | 2.58€ | 3.12€ |
25 - 49 | 2.44€ | 2.95€ |
50 - 59 | 2.38€ | 2.88€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.87€ | 3.47€ |
5 - 9 | 2.73€ | 3.30€ |
10 - 24 | 2.58€ | 3.12€ |
25 - 49 | 2.44€ | 2.95€ |
50 - 59 | 2.38€ | 2.88€ |
Transistor de canal N, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF2805. Transistor de canal N, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.9M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 5110pF. Costo): 1190pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación rápida, Aplicaciones automotrices. Identificación (diablillo): 700A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 68 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.
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