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Transistor de canal N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - IRF2903ZS

Transistor de canal N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - IRF2903ZS
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Transistor de canal N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - IRF2903ZS. Transistor de canal N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.019 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 6320pF. Costo): 1980pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. Identificación (diablillo): 1020A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 290W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.

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