Transistor de canal N, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF3205S

Transistor de canal N, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF3205S. Transistor de canal N, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250nA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3247pF. Costo): 781pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Tecnología de proceso avanzada . Identificación (diablillo): 390A. IDss (mín.): 25nA. Equivalentes: IRF3205SPBF. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.