Transistor de canal N, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRF3710S

Transistor de canal N, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V - IRF3710S. Transistor de canal N, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.025 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3000pF. Costo): 640pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 210 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 180A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 58 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.