Transistor de canal N, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V - IRF3711S

Transistor de canal N, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V - IRF3711S. Transistor de canal N, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 4.7M Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 2980pF. Costo): 1770pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 48 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: CC-CC aislada de alta frecuencia. Identificación (diablillo): 440A. IDss (mín.): 20uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 17 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.