Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

Transistor de canal N, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V - IRF3711ZS

Transistor de canal N, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V - IRF3711ZS
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 2.69€ 3.25€
Cantidad U.P
1 - 4 2.69€ 3.25€
¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!
Cantidad en inventario : 4
Conjunto de 1

Transistor de canal N, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V - IRF3711ZS. Transistor de canal N, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 92A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0048 Ohm. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 2150pF. Costo): 680pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Buck síncrono de alta frecuencia. Identificación (diablillo): 380A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 79W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.45V. Vgs(th) mín.: 1.55V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.

Información y ayuda técnica.

Por telefono :

Pago y entrega

¡Entrega en 2-3 días, con seguimiento postal!

Suscríbete al boletín

Acepto recibir correos electrónicos y entiendo que puedo cancelar mi suscripción en cualquier momento después de suscribirme..

Todos los derechos reservados, RPtronics, 2024.