Transistor de canal N, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF510

Transistor de canal N, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF510. Transistor de canal N, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 180pF. Costo): 81pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 43W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 6.9ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 09:25.