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Transistor de canal N, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540N

Transistor de canal N, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540N
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 1.35€ 1.63€
5 - 9 1.29€ 1.56€
10 - 24 1.22€ 1.48€
25 - 49 1.15€ 1.39€
50 - 99 1.12€ 1.36€
100 - 249 1.03€ 1.25€
250 - 326 0.98€ 1.19€
Cantidad U.P
1 - 4 1.35€ 1.63€
5 - 9 1.29€ 1.56€
10 - 24 1.22€ 1.48€
25 - 49 1.15€ 1.39€
50 - 99 1.12€ 1.36€
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Conjunto de 1

Transistor de canal N, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF540N. Transistor de canal N, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.044 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 1960pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 115 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 110A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 130W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 13:25.

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