Transistor de canal N, 25A, 36A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V, 21 milliOhms - IRF540Z

Transistor de canal N, 25A, 36A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V, 21 milliOhms - IRF540Z. Transistor de canal N, 25A, 36A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V, 21 milliOhms. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. Resistencia en encendido Rds activado: 21 milliOhms. C(pulg): 1770pF. Costo): 180pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 140A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 92W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Resistencia de encendido ultrabaja, <0,021 ohmios. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 13:25.