Transistor de canal N IRF610, TO-220, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 200V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 140pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 8.2nC. Corriente de drenaje: 3.3A, 2.1A. Costo): 53pF. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 10A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Polaridad: unipolares. Potencia: 36W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en el estado: 1.5 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 14 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 200V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:08