Transistor de canal N IRF610B, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 3.3A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 200V. Cantidad por caja: 1. Función: VGS @10V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 38W. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:08