Transistor de canal N IRF620, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 260pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 100pF. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 18A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 50W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 7.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:08