Transistor de canal N, 200V, TO220 - IRF630PBF

Transistor de canal N, 200V, TO220 - IRF630PBF. Transistor de canal N, 200V, TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 200V. Vivienda: TO220. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Serie: sí. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 9A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: Montaje mediante orificio pasante en PCB. VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): IRF630PBF. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Temperatura de funcionamiento: 0.4 Ohms @ 5.4A. Tipo de montaje: THT. Características: 39 ns. Información: 800pF. MSL: 74W. Producto original del fabricante Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 06/07/2025, 11:25.