Transistor de canal N, 200V, TO220 - IRF640NPBF

Transistor de canal N, 200V, TO220 - IRF640NPBF. Transistor de canal N, 200V, TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 200V. Vivienda: TO220. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Serie: sí. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 18A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: Montaje mediante orificio pasante en PCB. VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): IRF640NPBF. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Temperatura de funcionamiento: 0.15 Ohms @ 11A. Tipo de montaje: THT. Características: 23 ns. Información: 1160pF. MSL: 150W. Producto original del fabricante Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 06/07/2025, 20:25.