Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.90€ | 1.09€ |
5 - 9 | 0.86€ | 1.04€ |
10 - 24 | 0.81€ | 0.98€ |
25 - 49 | 0.77€ | 0.93€ |
50 - 99 | 0.75€ | 0.91€ |
100 - 249 | 0.73€ | 0.88€ |
250 - 1955 | 0.69€ | 0.83€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.90€ | 1.09€ |
5 - 9 | 0.86€ | 1.04€ |
10 - 24 | 0.81€ | 0.98€ |
25 - 49 | 0.77€ | 0.93€ |
50 - 99 | 0.75€ | 0.91€ |
100 - 249 | 0.73€ | 0.88€ |
250 - 1955 | 0.69€ | 0.83€ |
Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 200V, 18A, 150W - IRF640NPBF. Transistor de canal N, soldadura de PCB, TO-220AB, 200V, 18A, 150W. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Vivienda (norma JEDEC): 150W. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRF640NPBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1160pF. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 13:25.
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