Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A - IRF640NSTRLPBF

Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A - IRF640NSTRLPBF. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: F640NS. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 23 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1160pF. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 13:25.