Transistor de canal N, 200V, TO220 - IRF640PBF

Transistor de canal N, 200V, TO220 - IRF640PBF. Transistor de canal N, 200V, TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 200V. Vivienda: TO220. Serie: transistor de potencia MOSFET. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 18A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: 0.18 Ohms. VGS (th) (max) @ id: TO-220. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de montaje: THT. Producto original del fabricante Vishay. Cantidad en stock actualizada el 06/07/2025, 20:25.