Transistor de canal N, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730

Transistor de canal N, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730. Transistor de canal N, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 400V. C(pulg): 700pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 22A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 13:25.