Transistor de canal N, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO, SO-8, 30 v - IRF7303

Transistor de canal N, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO, SO-8, 30 v - IRF7303. Transistor de canal N, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 4.9A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: 0.05R. Identificación (diablillo): 20A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Cantidad por caja: 2. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 13:25.