Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87€ | 1.05€ |
5 - 9 | 0.83€ | 1.00€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.94€ |
25 - 49 | 0.74€ | 0.90€ |
50 - 99 | 0.72€ | 0.87€ |
100 - 249 | 0.70€ | 0.85€ |
250 - 4614 | 0.69€ | 0.83€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.87€ | 1.05€ |
5 - 9 | 0.83€ | 1.00€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.94€ |
25 - 49 | 0.74€ | 0.90€ |
50 - 99 | 0.72€ | 0.87€ |
100 - 249 | 0.70€ | 0.85€ |
250 - 4614 | 0.69€ | 0.83€ |
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A - IRF7309TRPBF. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7309. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 6.8/11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 22/25 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 520/440pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.4W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 13:25.
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