Transistor de canal N, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7413

Transistor de canal N, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7413. Transistor de canal N, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 25uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1600pF. Costo): 680pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 74 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 58A. IDss (mín.): 12uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 8.6 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 18:25.