Transistor de canal N, 9.2A, 13A, 150uA, SO, SO-8, 30 v, 0.008 Ohms - IRF7413Z

Transistor de canal N, 9.2A, 13A, 150uA, SO, SO-8, 30 v, 0.008 Ohms - IRF7413Z. Transistor de canal N, 9.2A, 13A, 150uA, SO, SO-8, 30 v, 0.008 Ohms. DI (T=100°C): 9.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 150uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. C(pulg): 1210pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Impedancia de puerta ultrabaja. Identificación (diablillo): 100A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 11 ns. Td(encendido): 8.7 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 95. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 18:25.