Transistor de canal N, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807

Transistor de canal N, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF7807. Transistor de canal N, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 6.6A. DI (T=25°C): 8.3A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.017 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Tipo de transistor: MOSFET. Función: circuito integrado para convertidores DC-DC. Identificación (diablillo): 66A. IDss (mín.): 30uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Vgs(th) mín.: 1V. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 18:25.