Cantidad | sin IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.02€ | 2.44€ |
5 - 9 | 1.92€ | 2.32€ |
10 - 24 | 1.82€ | 2.20€ |
25 - 49 | 1.72€ | 2.08€ |
50 - 99 | 1.68€ | 2.03€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.33€ |
250 - 331 | 1.05€ | 1.27€ |
Cantidad | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.02€ | 2.44€ |
5 - 9 | 1.92€ | 2.32€ |
10 - 24 | 1.82€ | 2.20€ |
25 - 49 | 1.72€ | 2.08€ |
50 - 99 | 1.68€ | 2.03€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.33€ |
250 - 331 | 1.05€ | 1.27€ |
Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 20A - IRF7832PBF. Transistor de canal N, soldadura de PCB (SMD), SO8, 30 v, 20A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SO8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: F7831. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 2.32V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4310pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +155°C. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 19:25.
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