Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF8010

Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF8010. Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 12m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 3850pF. Costo): 480pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Convertidores DC-DC de alta frecuencia. Identificación (diablillo): 320A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 260W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 15 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 18:25.