Transistor de canal N IRF830APBF, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.4 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 620 ns. Cantidad por caja: 1. Costo): 93 ns. Diodo Trr (Mín.): 430 ns. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 20A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura: +105°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43