Transistor de canal N, 500V, TO220AB - IRF830PBF

Transistor de canal N, 500V, TO220AB - IRF830PBF. Transistor de canal N, 500V, TO220AB. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 500V. Vivienda: TO220AB. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Serie: sí. Polaridad: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 4.5A. Voltaje de accionamiento: 10V. Rds on (max) @ id, VGS: Montaje mediante orificio pasante en PCB. VGS (th) (max) @ id: 3. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): IRF830PBF. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Temperatura de funcionamiento: 1.5 Ohms @ 2.7A. Tipo de montaje: THT. Características: 42 ns. Información: 610pF. MSL: 75W. Producto original del fabricante Vishay. Cantidad en stock actualizada el 06/07/2025, 22:25.