Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V - IRF840AS

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V - IRF840AS. Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1018pF. Costo): 155pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 422 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: NINCS. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 26 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/05/2025, 11:25.