Transistor de canal N, 500V, 8A, 0.85 Ohms, TO-220, 500V - IRF840PBF

Transistor de canal N, 500V, 8A, 0.85 Ohms, TO-220, 500V - IRF840PBF. Transistor de canal N, 500V, 8A, 0.85 Ohms, TO-220, 500V. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220. Tensión drenaje-fuente (Vds): 500V. Marcado del fabricante: IRF840PBF. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 49 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Tipo de canal: N. Corriente máxima de drenaje: 8A. Potencia: 125W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 18:25.