Transistor de canal N, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF8707G

Transistor de canal N, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v - IRF8707G. Transistor de canal N, 9.1A, 11A, 150uA, 0.142 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.142 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 760pF. Costo): 170pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 12 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 88A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: IRF8707G. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 7.3 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 4.5V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 18:25.