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Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRFB18N50K

Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRFB18N50K
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 4.54€ 5.49€
5 - 9 4.31€ 5.22€
10 - 24 4.09€ 4.95€
25 - 42 3.86€ 4.67€
Cantidad U.P
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Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - IRFB18N50K. Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.26 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 2830pF. Costo): 3310pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 68A. IDss (mín.): 50uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 220W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 19:25.

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